本公司定位为功率类器件的中后段晶圆代工项目
从2011年起从事晶圆中后段关键制程服务，团队本身拥有将 8 英寸大硅片薄化至 50μm，且维持高良率的能力，
已在台湾地区实现产业化，并且代工业务量位居第一大。
相关工艺已在 4 英寸、5 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸晶圆量产应用，代工业务量目前位居全球前三。
从2011年起从事晶圆中后段关键制程服务，团队本身拥有将 8 英寸大硅片薄化至 50μm，且维持高良率的能力，
已在台湾地区实现产业化，并且代工业务量位居第一大。
相关工艺已在 4 英寸、5 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸晶圆量产应用，代工业务量目前位居全球前三。
本公司掌握三项领先技术，会是新一代功率半导体低耗电的关键技术
实现 8 英寸晶圆薄化至 50μm、12 英寸晶圆薄化至 100μm 的生产能力。
本团队目前可将 8 英寸大硅片薄化至 50μm，已量产且良率超过 98%。
太古制程设备超级昂贵；
同时会有边缘产品损耗的问题。
工程师团队背景多元化，成员来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之制程整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
实现 8 英寸晶圆薄化至 50μm、12 英寸晶圆薄化至 100μm 的生产能力。
提供复合金属组合，金属厚度可达 35µm，厚度均匀性：±10%。
